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晶元等离子体处理系统GX-H80装置的组成：
等离子体表面处理装置由反应腔体（又称真空腔体）、真空系统、等离子体发生系统、电控系统、进气流量控制系统等组成。
考虑到生产操作的简便和效率，被处理材料的边料节约以及该处理装置的性价比，本装置拟考虑采用水平式放置结构。反应腔由真空室、平板式电极组成，是等离子体（Plasma）处理反应的有效空间，待处理物品水平置于反应腔内并可以设计成多层结构便于大批量作业；真空系统由真空阀门、真空泵以及真空管路、真空系统控制执行元件等组成，负责将反应腔内的空气抽至预先的设定值并在工作时维持相应的真空度；考虑到本装置被处理材料要求清洁和活化作用，故本装置的等离子体发生源拟采用波形经过特殊处理的、具有高速震荡功能的等离子体发生源，该系统源为反应腔提供等离子体能量，以激发反应腔内的被反应气体急剧震荡电离，形成所需要的具有清洁能力的等离子体（Plasma）；电控系统的作用是按照预设的工艺参数和步骤，智能最优自动控制该装置的工艺流程的全过程，并能自整定维持工艺参数的稳定性；工艺反应气体进气流量控制系统主要由质量流量计和自控电磁阀门组成，其作用是精确控制反应气体的进气量，并维持工作期间所需要的真空度值。
晶元等离子体处理系统GX-H80采用PLC可编程式控制，人机对话采用触摸屏设置和显示，界面友好，处理参数可以在触摸屏上任意设定，具有手动/自动切换功能。自动操作采用“一键式”，工作过程完全由计算机自动控制完成。手动操作由用户在手动模式界面上自行完成。
晶元等离子体处理系统GX-H80主要技术参数： | |
整机外形尺寸 | 660mm×950mm×1700mm（W×D×H） |
真空腔体尺寸 | 450mm×450mm×400mm（W×D×H） |
真空腔体容积 | 80L |
水准电极尺寸 | 內置平板式电极，420×310mm（W×D） |
可载物层数 | 6层 |
等离子发生生系统 | 射頻等离子源（13.56MHZ） 功率，0-500W |
控制系统 | 触摸屏+PLC全自动控制 |
进气系统 | 2路进气、1路放空 |
所有设备均可进行非标定制，其他参数，涉及到公司内部机密，请您来电咨询。
