等离子清洗/刻蚀技术是等离子体特殊性质的具体应用:
等离子清洗/刻蚀机产生等离子体的装置是在密封容器中设置两个电极形成电场,用真空泵实现一定的真空度,随着气体愈来愈稀薄,分子间距及分子或离子的自由运动距离也愈来愈长,受电场作用,它们发生碰撞而形成等离子体,这些离子的活性很高,其能量足以破坏几乎所有的化学键,在任何暴露的表面引起化学反应,不同气体的等离子体具有不同的化学性能,如氧气的等离子体具有很高的氧化性,能氧化光刻胶反应生成气体,从而达到清洗的效果;腐蚀性气体的等离子体具有很好的各向异性,这样就能满足刻蚀的需要。利用等离子处理时会发出辉光,故称之为辉光放电处理。
等离子体清洗的机理,主要是依靠等离子体中活性粒子的“活化作用”达到去除物体表面污渍的目的。就反应机理来看,等离子体清洗通常包括以下过程:无机气体被激发为等离子态;气相物质被吸附在固体表面;被吸附基团与固体表面分子反应生成产物分子;产物分子解析形成气相;反应残余物脱离表面。
等离子体清洗技术的一大特点是不分处理对象的基材类型,均可进行处理,对金属、半导体、氧化物和大多数高分子材料,如聚丙烯、聚脂、聚酰亚胺、聚氯乙烷、环氧、甚至聚四氟乙烯等都能很好地处理,并可实现整体和局部以及复杂结构的清洗。
等离子体产生的条件:足够的反应气体和反应气压,反应产物须能高速撞击清洗物的表面,具有足够的能量供应,反应后所产生的物质必须是可挥发性的细微结合物,以便于真空泵将其抽走,泵的容量和速度须足够大,以便迅速排出反应的副产品,并且需要快速地再填充反应所需的气体。
对应不同的材料采用相应的气体组合形成具有强烈蚀刻性的气相等离子体与材料表面的本体发生化学反应及物理冲击,使材料本体表面的固态物质被气化,生成如CO、CO2、H2O等气体,从而达到微蚀刻的目的。