等離子清洗/刻蝕技術是等離子體特殊性質的具體應用：
等離子清洗/刻蝕機產生等離子體的裝置是在密封容器中設置兩個電極形成電場，用真空泵實現一定的真空度，隨著氣體愈來愈稀薄，分子間距及分子或離子的自由運動距離也愈來愈長，受電場作用，它們發生碰撞而形成等離子體，這些離子的活性很高，其能量足以破壞幾乎所有的化學鍵，在任何暴露的表面引起化學反應，不同氣體的等離子體具有不同的化學性能，如氧氣的等離子體具有很高的氧化性，能氧化光刻膠反應生成氣體，從而達到清洗的效果；腐蝕性氣體的等離子體具有很好的各向異性，這樣就能滿足刻蝕的需要。利用等離子處理時會發出輝光，故稱之為輝光放電處理。
等離子體清洗的機理，主要是依靠等離子體中活性粒子的“活化作用”達到去除物體表面污漬的目的。就反應機理來看，等離子體清洗通常包括以下過程：無機氣體被激發為等離子態；氣相物質被吸附在固體表面；被吸附基團與固體表面分子反應生成產物分子；產物分子解析形成氣相；反應殘餘物脫離表面。
等離子體清洗技術的一大特點是不分處理對象的基材類型，均可進行處理，對金屬、半導體、氧化物和大多數高分子材料，如聚丙烯、聚脂、聚醯亞胺、聚氯乙烷、環氧、甚至聚四氟乙烯等都能很好地處理，並可實現整體和局部以及複雜結構的清洗。
等離子體產生的條件：足夠的反應氣體和反應氣壓，反應產物須能高速撞擊清洗物的表面，具有足夠的能量供應，反應後所產生的物質必須是可揮發性的細微結合物,以便於真空泵將其抽走，泵的容量和速度須足夠大,以便迅速排出反應的副產品,並且需要快速地再填充反應所需的氣體。
對應不同的材料採用相應的氣體組合形成具有強烈蝕刻性的氣相等離子體與材料表面的本體發生化學反應及物理衝擊，使材料本體表面的固態物質被氣化，生成如CO、CO2、H2O等氣體，從而達到微蝕刻的目的。
